Hinata Makui

パワー半導体ガジェットは、パワー・ハードウェア回路マシンで使用される部品であり、ある構造から始まって次の構造へと段階的にエネルギーを変換する。これらの部品は、ゲルマニウム、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）などの未精製の物質で作られています。パワー半導体ガジェットは、衛星フレームワーク、遠隔通信、PCフレームワーク、電気駆動装置の高レベル制御、受信ワイヤ、ブロードバンド遠隔開発など、幅広い用途で追跡されている。

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パワー半導体デバイス市場セグメント

コンポーネントに基づいて、パワー半導体デバイス市場は、ディスクリート、モジュール、およびパワー集積回路に分類されます。パワー半導体デバイス市場調査に基づくと、パワーICは予測期間中に3%のCAGRで成長すると予想されます。低電力範囲で使用できるため、コスト効率の高いデバイスに多用されています。拡大する家電市場は、パワー IC の主要消費者の 1 つです。また、集積回路の機能強化により、電力 IC の需要がかつてないほど高まっています。ディスクリートパワー半導体は、あらゆる電子デバイスで最も一般的なコンポーネントであり、予測期間中に4%のCAGRを記録する予定であり、これはパワー半導体デバイス市場全体を大きく押し上げることになります。電気自動車やスマートフォンなどにも広く使われています。

パワー半導体デバイス市場の地域概要

地域的には、パワー半導体デバイスの市場規模がアジア太平洋、北米、ヨーロッパ、ラテンアメリカ、中東、アフリカで分析されました。これらの中で、アジア太平洋地域がパワー半導体デバイスの市場シェアに最も貢献しています。日本、中国、韓国、台湾を合わせると市場の 65% のシェアを占めます。インドは予測期間中に 10% の CAGR を記録すると予想されます。これらを総合すると、アジア太平洋地域は予測期間中に 43% の CAGR で成長すると見込まれます。政府の政策と半導体市場の活況は、アジア太平洋地域が予測期間中にパワー半導体市場で売上高を記録した2つの主な理由です。

日本におけるパワー半導体デバイス市場は、2022 年に 450 億米ドルと評価され、予測期間中に 5% の CAGR を記録し、2035 年には 840 億米ドルに達すると予想されています。生産施設を中国から日本に移転するという日本政府の取り組みと、そのための20億ドルの資金援助が、日本のパワー半導体市場の成長を促進しています。家庭用電化製品、自動車の安全性、5G、IoTなどの新技術に対する需要の急増が主な要因です。

北米地域のパワー半導体デバイス市場分析では、予測期間中に2%のCAGRで120億ドルの価値に達すると予想されています。自動車産業、電気通信産業、家庭用電化製品、軍事などの成長するエンドユーザーセグメントは、この地域のパワー半導体デバイス市場の成長を促進します。さらに、北米地域では、新しい即席技術の出現をほとんどタイムラグなく受け入れています。北米地域のさまざまな国の中で、米国はパワー半導体デバイス市場で主要なシェアを持っています。これにカナダが続き、ハイスピードで進んでいます。

ヨーロッパでは、SiC パワー半導体が他のタイプよりも普及しています。パワー半導体デバイス市場分析によると、ヨーロッパのSiC市場は予測期間中に26%のCAGRで成長すると予想されています。冷却要件の削減と全体的なコスト効率の向上により、ヨーロッパではインバーターなどのアプリケーションでの SiC パワー半導体の使用が増加しています。冷却要件の軽減と全体的な費用対効果の高い効率により、ヨーロッパではインバーター、バッテリー充電器、モータードライバーなどのアプリケーションでの SiC パワー半導体の使用が増加しています。これに加えて、電気自動車でのパワー半導体の採用が挙げられます。国際エネルギー機関によると、2021 年には 16百万台以上の電気自動車が販売されました。